Tunneling behavior in ion-assist ion-beam sputtered CoFe/MgO/NiFe magnetic tunnel junctions

Effect of MgO spacer and annealing on interface and magnetic properties of ion beam sputtered NiFe/Mg/MgO/CoFe layer structures

“…Recently, we observed and analysed the inelastic tunneling contributions in the temperature dependance of the total conductance of the ion beam sputtered NiFe/Mg/MgO/CoFe MTJ system. 22 In the present work, we report on the dependence of the magnetic coupling between NiFe(10 nm) and CoFe(10 nm) layers on the MgO spacer layer thickness (2-6 nm). An attempt has been made to correlate the structure/interface roughness and the magnetic coupling in these planar MTJs stacks by employing x-ray diffaraction, x-ray reflectometry, and magnetooptical Kerr effect magnetization hysteresis measurements.…”

Structural–Phase State and Electrophysical Properties of Thin-Film Systems Based on Permalloy and Silver

“…Плівкові стопи на основі Ni та Fe при концентрації атомів Fe (с Fe ) до 50 ат.% відносяться до пермалоїв магнетом'яких феромагнетних матеріялів, які широко використовуються при формуванні спін-вентильних структур, магнетних тунельних переходів тощо [1][2][3]. Властивості таких стопів можуть бути змінені у широких межах шляхом додавання третього компонента [4,5].…”

“…Дифракційні картини (а) та мікрознімки кристалічної структури (б) плівкового зразка (PyAg)/П при с Ag 60 ат.% загальною товщиною у 55 нм і його складових компонентів після конденсації. 3 аналізи поруч із системою (РуAg)/П були проведені дослідження структурно-фазового стану складових компонентів системи -Ру та Ag відповідно (відповідні електронограми та мікрознімки також представлено на рис. 3 та 4).…”

“…2. Energy dispersive x-ray spectrum of thin film based on Py and Ag with total thickness of 55 nm at the concentration с Ag 34 at.% 3. Fig.…”

Inelastic tunneling conductance and magnetoresistance investigations in dual ion-beam sputtered CoFeB(110)/MgO/CoFeB (110) magnetic tunnel junctions

“…The method used for fitting is similar to that described elsewhere. 40,41 The temperature dependence of the total conductance is found to be GðTÞ ¼ G 0 þ r 2 T 1:33 þ r 3 T 2:50 þ r 4 T 3:60 þ r 5 T 4:60 þ r 6 T 5:70 þ r 7 T 6:75 þ r 8 T 7:78 þ r 9 T 8:80 þ r 10 T 9:81 :…”