Two-band superlinear electroluminescence in GaSb based nanoheterostructures with AlSb/InAs1−x Sbx/AlSb deep quantum well

Abstract

Articles you may be interested inSuperlinear electroluminescence due to impact ionization in GaSb-based heterostructures with deep Al(As)Sb/InAsSb/Al(As)Sb quantum wells

Излучательная Рекомбинация И Ударная Ионизация В Полупроводниковых Наноструктурах (О Б З О Р)

“…В настоящем разделе мы рассмотрим особенности излучательной рекомбинации и суперлинейной ЭЛ, обусловленной ударной ионизацией, в наноструктурах с глубокой КЯ AlSb/InAsSb/AlSb, выращенных методом МОГФЭ [88,89] без промежуточных слоев AlAs на гетерогранице между широкозонными барьерами и КЯ [90,91].…”

“…Значения При малых токах прямая ветвь вольт-амперной характеристики (ВАХ), измеренной при температуре T = 300 и 77 K, описывалась экспоненциальной зависимостью I = I 0 exp(eU/kT η). Параметр неидеальности ВАХ составлял η 77 K ≈ 8−10 и η 300 K ≈ 2.5−3.5, что свидетельствовало о туннельном транспорте носителей заряда в гетероструктуре [90].…”

“…Как показывает расчет [90], при комнатной температуре для каждого из переходов E e1 − E h1 и E e1 − E h2 закон сохранения энергии допускает создание одной горячей электронно-дырочной пары, что обеспечивает степенной рост интенсивности в обеих полосах ЭЛ hν 1 и hν 2 соответственно. При температуре T = 77 K для единственного излучательного перехода E e1 − E h1 пороговое условие по энергии также оказывается выполненным, и поэтому наблюдается суперлинейное возрастание оптической мощности для одиночной полосы hν 1 .…”