“Überschuss”‐Elektronen in LuGe

Abstract

Das Monogermanid LuGe wurde durch Hochdruck‐Hochtemperatursynthese (5–15 GPa, 1023–1423 K) erhalten. Die Kristallstruktur wurde aus Einkristall‐Röntgenbeugungsdaten gelöst und verfeinert (Strukturtyp FeB, Raumgruppe Pnma, a=7.660 (2) Å, b=3.875 (1) Å und c=5.715 (2) Å, RF=0.036 für 206 symmetrie‐unabhängige Reflexe). Die Analyse der chemischen Bindung wurde mit Hilfe quantenchemischer Techniken im Ortsraum durchgeführt. Neben den erwarteten 2c‐Ge‐Ge‐Bindungen im Germaniumpolyanion wurde eine eher unerwartete vieratomige Wechselwirkung zwischen Lutetium‐Atomen gefunden, was auf die Bildung eines Polykations durch die überschüssigen Elektronen im System Lu3+(2b)Ge2−×1 e− hinweist. Trotz der reduzierten Valenzelektronen‐Konzentration von 3.5 folgt Lutetium‐Monogermanid der erweiterten 8‐N‐Regel durch die Bildung von Lutetium‐Lutetium‐Bindungen unter Verwendung der Elektronen, die nach der Bindungssättigung in der anionischen Ge‐Ge‐Zickzackkette übrigbleiben.

Partial ordering of isovalent Cd and Mn atoms in the quater-nary phase Eu2Mn1–xCd1+xPt2 (x = 0.11) with LaNiAl type struc-ture

“…Ultimately, the Eu sublattice is more typical of the ZrNiAl type which is known to achieve more efficient packing than the TiNiSi type. Since the TiNiSi type is known to be reluctant to heteroatomic localized (Zinc blend like) covalent bonding, 29 the very similar atomic size between Mn and Pt may also play a role. However, EuxYb1-xMnPt is stabilized in the TiNiSi type with MnPt4 tetrahedra that are only slightly distorted.…”