UÇAK ELEKTRİK-ELEKTRONİĞİNDE GaAs YARIİLETKENLERİNDE AZOT-ARSENİK YER DEĞİŞİMİNİN ELEKTRONİK VE OPTİK ÖZELLİKLER ÜZERİNDEKİ ETKİLERİ

Abstract

Bu çalışma, uçak teknolojisinde kullanılan GaAs yarıiletkenlerinde azot (N) katkısının elektronik ve optik özellikler üzerindeki etkilerini incelemiştir. GaAs'ın yüksek performanslı elektronik ve optoelektronik uygulamalardaki rolü göz önüne alındığında, azot katkısının etkileri teorik olarak değerlendirilmiştir. Çalışma, WIEN2k yazılımı kullanılarak Yoğunluk Fonksiyonel Teorisi (DFT) ile gerçekleştirilmiştir. GaAs’ın örgü sabitinin 5,7515 Å, GaAs0,75N0,25’in ise 5,5413 Å olduğunu göstermiştir. Azot katkısının örgü parametresinde belirgin bir azalmaya yol açtığı gözlemlenmiştir. Elektronik özelliklerde, yasak band enerjisinin katkısız GaAs için 1,63 eV, azot katkılı GaAs0,75N0,25 için ise 0,61 eV olduğu hesaplanmıştır. Bu, malzemenin yüksek hızlı ve verimli elektronik devrelerde daha etkili performans sağlama potansiyelini ortaya koymaktadır. Optik özelliklerde, GaAs’ın dielektrik sabiti 11,68, GaAs0,75N0,25’in ise 9,64 olarak hesaplanmıştır. Azot katkısının dielektrik fonksiyonları ve yansıma katsayılarında belirgin değişikliklere yol açtığı, özellikle yansıma katsayısında azalmaya neden olduğu bulunmuştur. Bu bulgular, uçak teknolojisindeki optik kaplamalar ve radar gizlilik uygulamaları için önemli olabilir. Bu çalışma, GaAs ve GaAs0,75N0,25 bileşiklerinin uçak teknolojisinde yüksek performanslı yarıiletkenler için potansiyelini değerlendirmektedir. Azot katkısının etkileri, malzemelerin optimize edilmesi ve performanslarının artırılması için faydalı bilgiler sunmaktadır.