Ultra low frequency Barkhausen noise versus domain structure and reversal magnetization in sintered (NdDy)(FeCo)B magnets

Abstract

The continuous and jumpwise components of the magnetic relaxation were analyzed in the (NdDy)(FeCo)B sintered magnets in the stationary magnetic field close to the coercive field. The jumpwise magnetic relaxation of the extremely low frequency (∼0.01–0.1 Hz) and a large average amplitude (∼0.2%) of the saturation magnetization were revealed. The 2%–3% Sm doping ions increase the continuous relaxation up to 2 times and decrease the magnetization probability and average jump size down to 1.5 times. The spectral power of the magnetization jumps corresponds to the white noise appearing due to the uncorrelated individual magnetization reversal of the ∼103 independent grains. The continuous relaxation is due to the domain wall motion. Magnetic force microscopy allows us to distinguish the domain walls shift and the reversal of the grains to estimate the energy and width of the domain walls. First order reversal curve analysis revealed the contribution of the 2-14-1 phase and isolated 1-4-1 phase inclusions and the effect of Sm doping on the distribution of the switching and interaction fields of these phases.

Спин-переориентационный переход в микропроводах alpha-Fe с аморфной оболочкой PrDyCoFeB

“…В сплавах RE-TM-B обменное взаимодействие между подрешетками RE и TM антиферромагнитно для тяжелых редкоземельных элементов, таких как Pr и Dy. Конфигурационный беспорядок в аморфных материалах этого типа возникает вследствие случайного расположения осей одноионной анизотропии редкоземельных ионов [10,11]. Можно ожидать, что в силу небольших различий между атомами Dy и Pr в подрешетке RE, свойства аморфного сплава DyFeB, описанные в [12], близки к свойствам оболочки PrDyFeCoB в микропроводах, исследуемых в нашей работе.…”

Анализ приближения к намагниченности насыщения и динамики размагничивания аморфного спинового стекла PrDyFeCoB

“…3, b показана релаксация магнитного момента микропровода, записанная после переключения поля от +1 kOe к −1 kOe. Видно, что в таком же диапазоне времен, что и в первой серии опытов, наблюдается логарифмическая зависимость магнитного момента от времени, наблюдаемая ранее в поликристаллических материалах близкого химического состава [20].…”