Ultrathin nano-sized Al2O3 strips on the surface of por-Si

Seredin, P. V.; Lenshin, A. S.; Кашкаров, В. М.; Лукин, А. Н.; Arsentiev, I.N.; Bondarev, A. D.; Tarasov, I. S.

doi:10.1016/j.mssp.2015.05.067

Cited by 39 publications

(11 citation statements)

References 26 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…In order to overcome this, Al 2 O 3 coating can be used as the protective material for silicon [6][7][8][9][10][11][12][13][14][15][16]. The porous silicon can be prepared by conventional electrochemical anodization using silicon wafer as a working electrode.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Structural and morphological characterization of Al2O3 coated macro-porous silicon by atomic layer deposition

et al. 2016

View full text Add to dashboard Cite

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Structural and morphological characterization of Al2O3 coated macro-porous silicon by atomic layer deposition

et al. 2016

View full text Add to dashboard Cite

“…Как уже было неоднократно показано в наших предыдущих работах [36][37][38][39], весьма удобным способом изучения оптических свойств эпитаксиальных гетероструктур в видимом и ультрафиолетовом диапазонах является использование методики съемки спектров пропусканияотражения, когда спектры от гетероструктур получают при различных углах падения излучения на образец, добиваясь появления интерференционной картины.…”

Section: спектроскопия в видимом и ультрафиолетовом диапазонахunclassified

Оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/SiC/por-Si/Si(111)

Seredin¹,

Голощапов²,

Zolotukhin³

et al. 2020

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

Комплексом структурно-спектроскопических методов диагностики исследовано влияние переходного слоя нанопористого кремния на оптические свойства слоев GaN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота (МПЭ ПА) на темплейтах SiC/por-Si/c-Si. Впервые показано, что использование технологии МПЭ ПА для синтеза GaN на виртуальной подложке SiC/por-Si/c-Si позволило нам получить пленку GaN со значительно более высоким структурным качеством и оптическим совершенством и при значительно более низкой температуре роста, чем в аналогичных работах, в которых демонстрировался рост с использованием пористых подложек Si. Использование нанопористого por-Si слоя позволяет улучшить структурные и морфологические свойства эпитаксиального слоя GaN, а также добиться у него уникальных оптических и электрофизических характеристик. Полученные данные послужат важным материалом для понимания основ физики наногетероструктур GaN/SiC/por-Si, способствуя их потенциальному применению в оптоэлектронике. Ключевые слова: гибридные гетероструктуры, карбид кремния, нитрид галлия, нанопористый кремний, молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота.

show abstract

“…Для изучения оптических свойств в УФ-диапазоне интегрированных эпитаксиальных гетерострутур GaAs/Si(100) мы использовали подход с применением методики съемки на отражение, апробированный нами в серии предыдущих работ [25][26][27][28]. Предлагаемая методи-ка позволяет получить информацию об оптических свой-ствах в УФ-диапазоне пленок/слоев, нанесенных/сфор-мированных на объемных подложках.…”

Section: уф-спектроскопияunclassified

Влияние разориентации подложки и ее предварительного травления на структурные и оптические свойства интегрированных гетероструктур GaAs/Si(100), полученных методом газофазной эпитаксии

Seredin¹,

Голощапов²,

Zolotukhin³

et al. 2018

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

Впервые удалось показать, что управление структурными и оптическими функциональными характе-ристиками интегрированных гетроструктур GaAs/Si(100) может быть достигнуто за счет использования разориентированных подложек Si(100) и их предварительного травления. Рост эпитаксиального слоя GaAs на подложках кремния без образования антифазных доменов может быть выполнен на подложке, отклоненной от сингулярной плоскости (100) менее чем на 4−6• или без использования переходного слоя из наностолбиков GaAs. Выполненная предварительная обработка кремниевой подложки в виде травления позволяет получить на ней методом газофазной эпитаксии пленку GaAs в монокристаллическом состоянии со значительно меньшим коэффициентом релаксации, что положительно отражается на ее структурном качестве. Эти данные находятся в хорошем согласовании с результатами ИК-спектроскопии на отражение, фотолюминесцентной и УФ-спектроскопии. Особенности оптических свойств интегрированных гетероструктур GaAs/Si(100) в инфракрасной и ультрафиолетовой областях спектра также определяются значением коэффициента релаксации.

show abstract

Ultrathin nano-sized Al2O3 strips on the surface of por-Si

Cited by 39 publications

References 26 publications

Structural and morphological characterization of Al2O3 coated macro-porous silicon by atomic layer deposition

Structural and morphological characterization of Al2O3 coated macro-porous silicon by atomic layer deposition

Оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/SiC/por-Si/Si(111)

Contact Info

Product

Resources

About