1975
DOI: 10.1002/crat.19750101104
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Untersuchung von AIIIB‐Halbleitereinkristallen mittels Rutherford‐Rückstreuung energiereicher Protonen

Abstract: Srbeitsgruppe L4ngewandte KernphysikUntersuchung von A1llB-Halbleitereinkristallen mittels Rutherford-Riickstreuung energiereicher Protonen ES wird uber Untersuchungen des Schatteneffektes an binaren (GaAs, Gap, InSb, GaN) und terniiren ((Ga,Al)P; (Ga, A1)As ; (Ga, A1)Sb ; (Ga, 1n)As) Halbleitereinkristallen und Epitaxieschichten mit 0,5 MeV-und 1 MeV-Protonen berichtet. Die Winkelverteilung der ruckgestreuten Protonen wurde mit Halbleiterdetektoren und Filmmaterialien gemessen. Die erhaltenen Werte der charak… Show more

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