Vegard’s law and superstructural phases in AlxGa1−x As/GaAs(100) epitaxial heterostructures

XRD, AFM and IR investigations of ordered AlGaAs2 phase in epitaxial AlxGa1–xAs/GaAs (100) heterostructures

“…We determined the interplanar spacings and lattice constants of the Al x Ga 1 -x As alloy and GaAs (100) substrate using the X-ray photographic method 1 . The camera was adjusted to the line (711) GaAs with the interplanar spacing d D 0.7916Å.…”

“…1 However, the published data on linearity or nonlinearity of the dependence for this value in AlAs-GaAs system are quite contradictory. 2,3 In addition, the possible formation of superlattice in Al x Ga 1 -x As films at x D 0.25-0.75 has already been discussed in a number of works.…”

Влияние разориентации подложки и ее предварительного травления на структурные и оптические свойства интегрированных гетероструктур GaAs/Si(100), полученных методом газофазной эпитаксии

“…Исходя из общей теории упругости и вводя коэффи-циент Пуассона для кубического кристалла ν, параметр кристаллической решетки эпитаксиальной пленки с уче-том внутренних напряжений, обозначаемый стандартно как a υ , в соответствии с линейной теорией упругости может быть рассчитан следующим образом [15,16]:…”

Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Ga-=SUB=-x-=/SUB=-In-=SUB=-1-x-=/SUB=-P на их структурные и морфологические свойства

“…Подводя итоги работы можно сделать заключение о том, что полученные в данной реботе результаты нахо-дятся в хорошем согласии с данными, полученными для систем AlGaAs [6,9,22,23], GaInAsP [7,19] и InGaAs [17] с упорядочением, а также показывают перспективы для инженерии запрещенной зоны гетероструктур путем объединения эффектов от тетрагональной дисторсии при эпитаксиальном росте с эффектами атомного упорядоче-ния. Для этого необходимо хорошо знать оптические и энергетические свойства твердых растворов с упорядо-чением в ИК-и УВ-диапазонах.…”