Weak field magnetoresistance of narrow-gap semiconductor InSb

Abstract

The weak antilocalization effect of InSb film in perpendicular as well as tilted magnetic field is investigated. It is found that the InSb film has quasi-two-dimensional feature and the Nyquist mechanism dominates decoherence.The two dimensionality is also verified further and the influence of roughness effect and Zeeman effect on weak antilocalization effect is studied by systematically investigating the anisotropy of weak field magnetoresistance with respect to magnetic field. It is also found that the existence of in-plane field can effectively suppress the weak antilocalization effect of InSb film and the roughness effect plays an important role in the anisotropy.

Microstructure, magnetic and electronic transport properties of reactively facing-target sputtered epitaxial Mn4N films

“…The downturn of MR at high fields could be attributed to the enhancement of ferrimagnetic order and the reduction of electron scattering by spin-wave excitations and local magnetic anisotropy [51]. According to Mott's s-d band scattering model, a shift of minority and majority spin bands under a magnetic field can produce a negative MR [52]. Meanwhile, the constructive interference resulted from the coherence in single electron scattering paths can also cause a negative MR [53].…”

Отрицательное магнитосопротивление в структуре n-InSb/ЖИГ

“…С точки зрения применения антимонида индия в качестве элемента чувствительного к магнитному полю на сегодняшний день широко исследовались магниторезистивные свойства InSb, как в виде тонких пленок, так и монокристаллов [1,[8][9][10][11][12][13][14][15][16][17][18][19][20][21][22][23][24][25]. Было показано, что в случае намагничивания нормально к поверхности образца InSb (тонкая пленка или монокристалл) электрическое сопротивление R увеличивается пропорционально квадрату магнитного поля H, при этом величина магнитосопротивления (МС) может достигать сотен и тысяч процентов в поликристаллических [8][9][10] и эпитаксиальных [11] пленках InSb соответственно.…”

“…В касательной к поверхности образца геометрии намагничивания, когда магнитное поле H направлено параллельно или перпендикулярно току I был обнаружен эффект отрицательного магнитосопротивления (ОМС) как в поликристаллических [13] и эпитаксиальных [14][15][16][17] пленках, так и в монокристаллах (допированных Mn, Sn, Ge и не допированных) p-InSb [18][19][20][21] и n-InSb [22][23][24][25]. Для допированных монокристаллов величина ОМС в значительной степени зависит от концентрации примесей и может достигать десятков процентов при криогенных температурах [18][19][20][21]24].…”