Wide-Gap Polysilane Produced by Plasma-Enhanced CVD at Cryogenic Temperatures

Abstract

Polysilane thin films have been grown by the rf glow discharge decomposition of SiH 4 at substrate temperatures ranging from -84 to -110 0 C. The infrared absorption spectra have shown that polysilane chains (SiH 2 )n are predominantly incorporated in the matrix together with SiH 3 which terminates the chain. Also, the infrared absorption band at 2120-2140 cm-1 and a distinct Raman peak at -430 cm'1 indicates that fairly long chains (SiH 2 )n with n>11 are produced.Polysilane prepared at -110 0 C has an optical bandgap of about 3.

Transformations of dust structures in glow DC discharge in neon: effect of gas temperature and discharge current

“…An important area of research in the field of dusty plasma is the development of ideas regarding self-organization processes in highly non-ideal dusty plasma of DC discharges at T=295 K [10][11][12][13][14][15][16][17][18][19] and at low and cryogenic temperatures [20][21][22][23][24]. The need for studying the properties of plasma cooled to cryogenic temperatures is dictated by the possibility of using such plasma in the development of new plasma-chemical technologies, for instance, aimed at obtaining high purity materials [25] and binary alloys [26]. For the fundamental science, the cryogenic plasma studies are relevant for theories of nucleation, growth and agglomeration of nanostructures and coagulation of micro-and nanoparticles in plasma [27,28].…”

Glow DC discharge at cryogenic cooling

“…Актуальность изучения свойств газоразрядной плазмы, охлаждённой до низких и криогенных температур, диктуется возможностью применения такой плазмы при создании нового класса плазмохимических технологий, а именно криогенных плазменных нанотехнологий. Криогенное охлаждение в реакторе используется при плазменнохимическом синтезе и осаждении для получения сверхчистых материалов [1,2], гетероструктур, бинарных сплавов и покрытий [3], для функционализации наноструктурированных поверхностей при плазменной обработке и плазменном травлении [4,5]. Очевидно, что для оптимизации плазмохимического процесса в газовом разряде и расширения сферы его приложений необходимо изучение свойств разряда, в частности, изучение электрофизических характеристик плазмы разряда.…”