X-Ray Interferometry of Volume Changes in C⁺Implanted Silicon

Abstract

High energy C+ implantation is used to construct a two crystal monolithic X-ray interferometer. The X-ray interferometer technique is applied to in-situ studies of radiation damage annealing in the interferometer. Volume changes in the crystal due to the transformation of single crystal silicon to amorphous silicon and due to the formation of silicon carbide are measured.

Методы Рентгеновской Дифракционной Топографии (О Б З О Р)

“…Полученный таким образом бикристалл состоит из комбинации идеального объемного кристалла и идеального кристаллисеского слоя. Оба кристалла разделены недифрагирующей зоной повреждения, которая может быть полностью аморфной и линзовидной [80,[83][84][85].…”

Исследование Полей Деформаций В Зеркальном Кристалле Рентгеновского Интерферометра, Подвергнутого Ионной Имплантации

“…Известно [1,2], что при бомбардировке монокристаллов ионами больших энергий (80 кэВ…3 МэВ) в них возникают радиационные нарушения, сводящиеся, в частности, к изменениям межплоскостных расстояний, и, следовательно, в кристалле возникает напряженное состояние.…”

“…Как видно из табличных данных, зависимость относительной деформации от дозы облучения увеличивается вплоть до 10 16 ион/см 2 Заключение. Полученные результаты дают основу для решения обратной задачи, а именно, задачи восстановления полей механических напряжений в кристаллических блоках интерферометра путем расшифровки муаровых картин, так как изменение муаровых картин будет заключать в себе информацию о механических напряжениях.…”

Synchrotron X-ray reticulographic measurement of lattice deformations associated with energetic ion implantation in diamond

“…The diffraction situation has been successfully treated as a pure translation fault separating a thin sheet from a thick substrate, both behaving as perfect crystals (Bonse & Hart, 1969). Then, since some radial variation of fault magnitude is inevitably present, X-ray interference fringes resembling Newton's rings appear in transmission X-ray topograph images of the implanted area (Bonse et al, 1969;Schwuttke & Brack, 1973). In the present work the new technique of X-ray reticulography has been applied to measure microscopic deformation of the sheet overlying the implant.…”