Zinc Oxide

Фотоиндуцированные эффекты в спектрах люминесценции ZnO

“…Далее в настоящей работе анализируется влияние интенсивного УФ-облучения в вакууме на спектр близ-краевой экситонной люминесценции пленок ZnO (d = 4 и 10 nm) при T = 5 K. Как известно [1], в низко-температурной ФЛ объемных образцов и нанострук-тур ZnO при относительно низких уровнях возбуждения доминирующей структурой являются линии излучения экситонов, локализованных на нейтральных центрах. Спектр ФЛ изучаемых нами нанокристаллических пле-нок, полученных методом ALD, при T = 5 K и низ-ких плотностях возбуждений He−Cd-лазером, состо-ит из слабо разрешенной полосы излучения эксито-нов на нейтральных донорах (368.3−368.8 nm) и по-лосы поверхностного экситона (368.5 nm).…”

“…Относительно природы поло-сы 374 nm (3.31 eV) в литературе нет единого мнения. Энергетическое положение полосы позволяет связы-вать ее с несколькими излучательными процессами, в частности, с излучением 1LO-свободного экситона [1], с переходом свободный электрон−акцептор [13][14][15], с излучением связанных экситонов, в локализованных на акцепторе [16,17] с двухэлектронными процессами в излучении связанных экситонов [18] и др. Поло-са наблюдается в широком температурном интервале от гелиевых до комнатных температур.…”

“…Кривая 2 -спектр ФЛ при плотности воз-буждения ∼ 1 МW/cm 2 азотным лазером, кривая 3 -спектр ФЛ той же пленки при возбуждении He−Cd-лазером после облучения ее азотным лазером в тече-ние 10 min. При облучении азотным лазером спектр ФЛ (кривая 2) имеет вид широкой асимметричной полосы с максимумом ∼ 372 nm, которую можно отнести к излучению электронно-дырочной плазмы [1]. Подчерк-нем, что мощность возбуждения He−Cd-лазером до и после облучения пленки азотным лазером одинакова.…”

“…Экситонные и фононные состояния в оксиде цинка, востребованном материале для приборов УФ-оптоэлект-роники, катализа, биомаркеров и др., изучены весьма подробно [1]. ZnO -прямозонный полупроводник с раз-решенными переходами, в котором коэффициент погло-щения в экситонных и зон-зонных переходах достигает значений 10 5 cm −1 и более.…”

Field emission in ordered arrays of ZnO nanowires prepared by nanosphere lithography and extended Fowler-Nordheim analyses

“…A value of 4.1 eV is quoted in Ref. 35 for the electron affinity of the (0001) face, based on Schottky contact barrier measurements. Semet et al 17 accounted satisfactorily for their experimental observations on h002i vertically aligned ZnO nanowires if they assume an actual work function of the order of 1 eV due to severe modification of the electronic and structural properties of the emitting surface after prolonged field emission.…”