Züchtung und Untersuchungen von Indiumtellurid‐Einkristallen (Halbleitereigenschaften von Telluriden. XIII)

Janowski, D.

doi:10.1002/andp.19694780109

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“…In einer im gleichen Jahr erschienenen Arbeit von NEWMAN [S] wird diese Erklarung als unbefriedigend wieder verworfen und zur fruheren Annahme der Zinkblendenstruktur zuriickgekehrt. Diese Ansicht wird in einer Arbeit von JANOWSKI [9] 1. Die graphitahnliche a-Modifikation, die bei einer Temperung von 180 "C gefunden wurde, also unterhalb der von [12] und [13] beschriebenen Phasenumwandlung.…”

Section: Einfiihrungunclassified

Mischkristallbildung der festen Lösung In₂Te_3−xSe_x(0 ≦ x ≦ 3) (Halbleitereigenschaften von Telluriden. XIV)

Myohl

Ullner

1969

Annalen der Physik

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InhaltsiibersichtBei der rontgenographischen Untersuchung des Systems In,Te3-xSex(0 x 3) konnte ein kubisches und ein hexagonales Einphasengebiet festgestellt werden. Zwischen 0 und ungefilhr 40% In,Se, bilden sich feste Losungen kubischer und zwischen ungefahr 75 und 100 yo In,Se, solche hexagonaler Struktur. Die Siittigungsgrenzen der dabei vorliegenden Mischkristalle sind temperaturabhiingig, ebenso die jeweils existierende Modifikation der Ausgangselemente.Beziiglich der Struktur der Ausgangselemente konnten die Literaturangaben uber das In,Te, bestiitigt und die uber das In,Se, korrigiert und erganzt werden.Die im Qebiet zwischen kubischem und hexagonalem Strukturbereich gefundene vermutlich monokline Struktur konnte mittels der Thermoanalyse als eine bei 50% In,Se, sich peritektisch bildende Verbindung gedeutet werden, deren Struktur im Gebiet zwischen 40 und 60% In,Se, vorherrschend ist.

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Section: Einfiihrungunclassified

Mischkristallbildung der festen Lösung In₂Te_3−xSe_x(0 ≦ x ≦ 3) (Halbleitereigenschaften von Telluriden. XIV)

Myohl

Ullner

1969

Annalen der Physik

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Thermokraft, elektrische und Wärme‐Leitfähigkeit von Kristallen des Systems In₂Te₃‐Tl₂Te₃

Nieke

Sandt

1971

Annalen der Physik

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1933 - 1971

Eisenmann¹,

Schäfer²

1986

Sulfides, Selenides, Tellurides (Part 1)

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Mischkristallbildung der festen Lösung In₂Te_3−xSe_x(0 ≦ x ≦ 3) (Halbleitereigenschaften von Telluriden. XIV)

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Thermokraft, elektrische und Wärme‐Leitfähigkeit von Kristallen des Systems In₂Te₃‐Tl₂Te₃

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