Абсолютно калиброванные спектрально разрешенные измерения интенсивности излучения Xe лазерной плазмы в дальнем ультрафиолетовом диапазоне

Abstract

С помощью Mo/Be и Si/Mo интерференционных зеркал выполнены измерения интенсивности излучения лазерной плазмы с Xe газоструйной мишенью в полосе длин волн 11−14 nm со спектральным разрешением 3−6 ¦. Полученные результаты сравниваются со спектром, измеренным ранее с помощью спектрографа. Найдено, что в исследованном режиме возбуждения плазмы отношение интенсивностей на длинах волн 11.2 и 13.5 nm составило примерно 10 раз.

Измерение Геометрических Параметров Мощного ИК Лазерного Луча В Прифокальной Области Для Применений В Лазерно-Плазменном Источнике Коротковолнового Излучения

“…После прохождения телескопарасширителя диаметр луча увеличивался до Ø expand = = 26−29 mm, вызывая соответствующее уменьшение расходимости: θ expand = 0.5 mrad. Расширенный луч подводился к установленному внутри вакуумной камеры объективу, который обычно в наших опытах с плазмой фокусирует луч на Xe струю-мишень, истекающую из сопла Лаваля ( [15], а также [8,10]). В описываемых измерениях на генераторе струи вместо сопла устанавливались измерительные элементы так, чтобы их чувствительная поверхность была перпендикулярна оси луча.…”

“…Предложение [5] о разработке варианта литографии на длине волны λ = 11.2 nm с Be-содержащими интерференционными зеркалами [6,7] инициировало новую волну интереса к источнику с лазерной Xe-плазмой, поскольку интенсивность его излучения на " новой" длине волны ожидается примерно на порядок более высокой, чем на λ = 13.5 nm. Первые экспериментальные исследования такого источника с λ = 11.2 nm были опубликованы в [8][9][10][11].…”

Новый метод подавления периферического поглощения в лазерно-плазменном источнике коротковолнового излучения с Xe газоструйной мишенью

“…В последнем случае излучателем является облачко плотной Xe плазмы с размером порядка 100 µm. Спектр такой плазмы представляет собой континуальный пик без дискретных линий в полосе λ ≈ 10−15 nm [3][4][5][6], что позволяет использовать различные длины волн, но перспектива вывода EUV-литографии c Xe источником на промышленный уровень критическим образом зависит от интенсивности излучения в указанной полосе.…”