“…Настоящей публикацией мы продолжаем систематические исследования адсорбционной способности SiC, начатое в работе [2], где мы рассмотрели адсорбцию атомов I и VII групп на С-и Si-гранях 3C-, 6H-и 4H-политипах карбида кремния, причем основное внимание уделялось оценкам перехода заряда и энергии адсорбции. При этом использовался модельный подход к проблеме адсорбции, изложенный в [3,4].…”