Активационная проводимость в квантовых ямах HgTe/CdHgTe при целочисленных факторах заполнения уровней Ландау: роль случайного потенциала

Abstract

В квантовых ямах HgTe/CdHgTe шириной 8 нм с концентрацией электронов (1.7-13)·1011 см-2 проведены исследования осцилляций Шубникова-де-Гааза в диапазоне температур от 1.6 до 40 K. Из анализа температурной зависимости амплитуды осцилляций при целочисленных факторах заполнения определены значения щелей между уровнями Ландау и квантовое время рассеяния. Экспериментальные значения щелей находятся в хорошем согласии с результатами одноэлектронных расчетов энергий уровней в рамках 8-зонной модели Кейна. Полученные экспериментальные значения ширины плотности состояний свидетельствуют о сильном экранировании обменного взаимодействия в квантовых ямах HgTe/CdHgTe. DOI: 10.21883/FTP.2017.12.45175.38