Активационные энергии движения ионов в наноразмерной решетке суперионного проводника LaF-=SUB=-3-=/SUB=-

ОСОБЕННОСТИ ИОННОГО ПЕРЕНОСА В НАНОРАЗМЕРНОЙ РЕШЕТКЕ СУПЕРИОННОГО ПРОВОДНИКА LaF3

“…Таким способом с учетом энергии связей в "недозаполненной" решетке по 8 точкам получен профиль потенциального рельефа, по которому ион F 1 совершает элементарный акт разупорядочения в СИ состоянии LаF 3 . С учетом того, что перемещение иона совершалось в потенциальном поле, образованном всеми остальными частицами решетки, такой перенос иона позволял достаточно корректно вычислить профиль рельефа между конкретным анионным узлом и центром междоузлия [15,22]. Из формы профиля потенциального рельефа (рис.…”

“…Из формы профиля потенциального рельефа (рис. 2) можно непосредственно получить различные активационные энергии для движения ионов в центральной части нанорешетки: величину барьера Е m , который преодолевает ион F 1 при перемещении в междоузлие, энергию Е а разупорядочения подрешетки F 1 (энергию образования пары точечных дефектов типа вакансия F 1 -межузельный анион), а также энергию Е d движения иона фтора, связанную с величиной барьера известным соотношением Е m = Е a + Е d [23][24][25].…”

“…Таким образом, для исследуемой нанорешетки LаF 3 активационные энергии E а , E d и Е m в ДЭ фазе составляют соответственно 0.16, 0.21 и 0.37 eV, которые в СИ состоянии уменьшаются в несколько раз, до значений 0.04, 0.11 и 0.15 eV. Такое заметное уменьшение активационных энергий определяется так называемыми кооперативными взаимодействиями в "квазижидкой" подрешетке и обуславливает возникновение СИ состояния в нанорешетке LаF 3 [23]. Следует также отметить, что если в данное междоузлие перемещать соседние ионы F 1 (расположенные по гофрированному кольцу под углом 60° друг относительно друга в плоскости XY (рис.…”

“…В предыдущих работах авторами было показано [9,15], что высокая анионная подвижность СИ материалов сохраняется даже в ультрадисперсных кристаллитах с числом частиц в решетке 600-1000. Иными словами, в наноструктурированных материалах с характерным размером решеток порядка 3-5 нм полностью сохраняются важнейшие качества объемных СИ материалов, например, высокие электропроводящие свойства.…”