2022
DOI: 10.21883/pjtf.2022.02.51912.18989
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Аморфизация Кремниевых Нанонитей При Облучении Ионами Аргона

Abstract: The irradiation of silicon nanowires with Ar+ ions with an energy of 250 keV and fluences from 1013 cm^-2 to 10^16 cm^-2 was carried out. The dependence of the destruction of the structure under the action of ion irradiation on the fluence is investigated by the Raman spectroscopy. It is shown that the amorphization of porous silicon occurs at higher dpa values than in thin silicon thin films.

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
1

Citation Types

0
0
0
1

Year Published

2023
2023
2023
2023

Publication Types

Select...
1

Relationship

0
1

Authors

Journals

citations
Cited by 1 publication
(1 citation statement)
references
References 22 publications
0
0
0
1
Order By: Relevance
“…Также можно отметить присутствие аморфной фазы при 610 cm −1 [55,56] и оксидной фазы, о чем свидетельствует возникновение полосы около 432 cm −1 , связанной с колебаниями межтетраэдрической связи Si−O−Si [52,55,56]. Уширение спектральной линии в области 520 cm −1 для НПКС объясняется эффектом пространственного ограничения фононов, проявляющимся в результате реакции диспропорционирования и выпадения кремния в форме наноразмерных кристаллитов [52,[57][58][59][60].…”
Section: исследование образцов методами рамановской спектроскопииunclassified
“…Также можно отметить присутствие аморфной фазы при 610 cm −1 [55,56] и оксидной фазы, о чем свидетельствует возникновение полосы около 432 cm −1 , связанной с колебаниями межтетраэдрической связи Si−O−Si [52,55,56]. Уширение спектральной линии в области 520 cm −1 для НПКС объясняется эффектом пространственного ограничения фононов, проявляющимся в результате реакции диспропорционирования и выпадения кремния в форме наноразмерных кристаллитов [52,[57][58][59][60].…”
Section: исследование образцов методами рамановской спектроскопииunclassified