Анализ Особенностей Деградации, Вызываемой Горячими Носителями, В Транзисторах С Каналом В Форме Плавника

Abstract

Впервые проведено моделирование деградации, вызываемой горячими носителями (ДВГН), в непланарных полевых транзисторах с каналом в форме плавника (FinFET). Для этого использована физическая модель, которая рассматривает одночастичные и многочастичные процессы разрыва связей кремний−водород, а также их суперпозиции. Для вычисления темпа диссоциации связей используются функции распределения носителей по энергии, которые находят при решении транспортного уравнения Больцмана. С помощью анализа ДВГН показано, что деградация локализована в части канала, примыкающей к стоку транзистора, в районе верхней стенки канала. Хорошее соответствие между экспериментальными и расчетными деградационными характеристиками было получено с теми же параметрами модели, которые применялись при воспроизведении ДВГН в планарных короткоканальных транзисторах, а также в мощных полупроводниковых приборах.

О Влиянии Параметров Топологии Транзистора С Каналом В Форме Плавника На Деградацию, Вызываемую Горячими Носителями

“…Модель ДВГН, используемая в настоящей работе, была опробована нами ранее для нескольких разновидностей транзисторов с n-каналом в форме плавника. В частности, это было сделано для случая плавника трапециевидного сечения [16,17] Данные транзисторы имеют архитектуру, практически идентичную архитектуре приборов в [17,25], за тем исключением, что сечение плавника теперь имеет прямоугольную форму, а не трапециевидную, как это было в реальных ПТ (см. рис.…”