Анализ поведения неравновесных полупроводниковых структур и СВЧ транзисторов в момент и после импульсного gamma- и gamma-нейтронного облучения

Abstract

Проведен анализ влияния неравновесных процессов в полупроводниковых структурах при радиационном воздействии на характеристики структур и СВЧ-транзисторов на их основе. Особое внимание обращено на сопоставление параметров опытных (экспериментальных) и серийных структур и транзисторов на их основе до и после γ-нейтронного облучения.