Анализ полупроводниковых слоев AlN на подложке сапфира (0001) методом спектроскопии поверхностных поляритонов

Abstract

После успеха Исаму Акасаки, Хироси Амано и Сюдзи Накамура в получении первого синего светодиода высокой яркости на основе полупроводниковых соединений А3-нитридов на подложке сапфира, данные полупроводники рассматриваются как очень перспективная группа материалов для оптоэлектронных применений, таких как светоизлучающие диоды, лазерные диоды и УФ фотодетекторы. В связи с малой распространённостью и доступностью собственных подложек для эпитаксиального роста AlN, используются инородные подложки сапфира (Al2O3), Si и SiC. Сапфир является наиболее распространенной подложкой ввиду высокого кристаллического совершенства и низкой стоимости.