Анизотропия работы выхода электрона 3d-металлических кристаллов

Анизотропия Поверхностной Энергии И Работы Выхода Электрона IIВ Металлов

“…Выражение, связывающее РВЭ и ПЭ металлических кристаллов, было получено в работах [7][8][9] в рамках электронно-статистической теории. Оно дает хорошее согласие с экспериментальными данными для d-металлов с ОЦК-и ГЦК-решетками.…”

“…Расчеты проводились для температуры кристал- лизации ртути (234.11 K), а также экстраполировались на температуру 297 K, для которой в литературе [16] имеются достоверные данные ПН. Видно, что, как и для кубических [7][8][9], для ГПУ-структуры и кристаллов с низкосимметричной ромбоэдрической решеткой ПЭ наиболее плотноупакованных граней минимальна (грани (001) и (100) соответственно), а РВЭ, наоборот, максимальна.…”

“…Анизотропия поверхностной энергии (ПЭ) и работы выхода электрона (РВЭ) металлических кристаллов и пленок является одним из основных факторов, который необходимо учитывать при решении практических задач техники и технологии. Поэтому на протяжении нескольких десятилетий данному вопросу уделяется большое внимание [1][2][3][4][5][6][7][8][9][10][11][12][13]. Экспериментальные данные по ПЭ металлов и ее ориентационной зависимости неоднозначны или даже отсутствуют в справочной литературе [14].…”

“…Разными авторами экспериментально и теоретически [1,2,[4][5][6][7][8][9] изучалась связь между РВЭ и ПЭ. В пионерской работе Г.Н.…”