Бесконтактная Характеризация Дельта-Слоев Марганца И Углерода В Арсениде Галлия

Abstract

Метод спектроскопии фотоотражения применен для диагностики одиночных дельта-слоев марганца и углерода в нелегированном GaAs. Показано, что определяемая этим методом напряженность встроен-ных электрических полей растет с увеличением слоевой концентрации введенных примесей и хорошо коррелирует с технологическими данными и результатами, полученными методом Холла. Фазочувстви-тельное фотоотражение позволило независимо измерить приповерхностное поле и поле, обусловленное дельта-легированием. Это дает возможность бесконтактно определять долю электрически активной примеси Mn и выявлять вклад δ-слоев углерода в гетеросистемы на основе GaAs.

Инфракрасное Фотоотражение Полупроводниковых Материалов a-=sup=-3-=/Sup=-B-=sup=-5-=/Sup=- ( О Б З О Р )

“…[68,69]. Этот метод применялся в [70] для идентификации многокомпонентного характера спектров ФО среднелегированных подложек GaAs, а в [71] он также хорошо зарекомендовал себя для разделения ОФК в более сложных дельталегированных структурах GaAs.…”