Вакансионный Механизм Ионного Переноса В Кристаллах LаF3

Abstract

C помощью пакета программ MOPAC 2016 исследован вакансионный механизм ионной проводимости в кристаллах LaF3 внутри объема и на поверхности. Показано, что величина ионной проводимости по поверхности кристалла на несколько порядков выше по сравнению с проводимостью в его объеме. Обнаруженный эффект объясняется интенсивным перемещением вакансий, образующихся в объеме кристалла. на его поверхность и соответствующим увеличением их концентрации в поверхностном слое.