Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1.55 mum, сформированные методом спекания

Abstract

The results of studies on fabrication of vertical-cavity surface-emitting 1.55-μm lasers by fusing AlGaAs/GaAs distributed-Bragg-reflector wafers and an active region based on thin In_0.74Ga_0.26 As quantum wells grown by molecular-beam epitaxy are presented. Lasers with a current aperture diameter of 8 μm exhibit continuous lasing with a threshold current below 1.5 mA, an output optical power of 6 mW, and an efficiency of approximately 22%. Single-mode lasing with a side-mode suppression ratio of 40–45 dB is observed in the entire operating current range. The effective modulation frequency of these lasers is as high as 9 GHz and is limited by the low parasitic cutoff frequency and self-heating.

Влияние Потерь На Вывод Излучения На Динамические Характеристики Вертикально-Излучающих Лазеров Спектрального Диапазона 1.55 Мкм, Изготовленных Методом Спекания Эпитаксиальных Пластин

“…Изготовленные по такой технологии ВИЛ спектрального диапазона 1.5 мкм демонстрируют частоту эффективной модуляции 7−9 ГГц и безошибочную передачу данных на скорости 10 Гбит/с при температуре 20 • C [6]. Сравнительно недавно с использованием метода спекания пластин нами была продемонстрирована возможность создания эффективных ВИЛ спектрального диапазона 1.55 мкм на основе тонких сильнонапряженных InGaAs/InAlGaAs КЯ, пригодных для безошибочной передачи данных на скорости не менее 25 Гбит/с при температуре 20 • C [7,8]. При этом в ряде работ была показана важность контроля времени жизни фотонов в резонаторе для снижения эффекта демпфирования релаксационных колебаний и повышения быстродействия ВИЛ ближнего ИК-диапазона [9,10].…”