Влияние Буферного Слоя PZT На Электрофизические Свойства Мдм-Структур С Пленкой BST

Abstract

Пленки состава Ba0.8Sr0.2TiO3 (BST) синтезированы методом высокочастотного (ВЧ) распыления на буферный слой сегнетоэлектрической пленки состава PbZrxTi1-xO3 (PZT). Представлены сравнительные результаты электрофизических свойств трех различных МДМ-структур: Pt/BST/Ni, Pt/PZT/Ni и Pt/PZT-BST/Ni. Ключевые слова: структуры металл--диэлектрик--металл, сегнетоэлектрические пленки состава Ba0.8Sr0.2TiO3, буферный слой, электрофизические свойства.