Влияние водорода на термоэлектрический сигнал напряжения в слоистой структуре Pt/WO-=SUB=-x-=/SUB=-/6H-SiC/Ni/Pt

Abstract

Установлена возможность детектирования H 2 по регистрации сигнала тер-моэдс, который возникал между поверхностями пластины 6H-SiC толщи-ной 400 µm. Рабочая поверхность пластины модифицировалась за счет на-несения газочувствительной пленки WOx и каталитической Pt. На тыловой поверхности пластины создавался омический контакт (Ni/Pt), и эта поверх-ность поддерживалась при стабилизированной температуре 350• C. Градиент температуры по толщине пластины возникал за счет охлаждения рабочей поверхности воздушной средой. Подача H 2 в эту среду до концентрации 2% вызывала 15-кратный рост термосигнала, что заметно превышало отклик системы Pt/WOx /SiC/Ni/Pt, регистрируемый традиционным способом измерения вольт-амперной зависимости. При этом для регистрации термоэдс не требовал-ся дополнительный источник питания.