Влияние Локальных Корреляций На Переход "Однородный Изолятор-Сверхпроводник" В Доменных Границах Фазы Зарядового Порядка 2d-Системы Со Смешанной Валентностью

Abstract

В рамках (псевдо)спинового S = 1 формализма показано, что структура антифазных доменных границ в фазе зарядового упорядочения системы со смешанной валентностью типа " триплета" Cu 1+,2+,3+ в купратах на двумерной квадратной решетке существенно зависит от параметра одноцентровых корреляций U. Компьютерное моделирование на больших квадратных решетках иллюстрирует изменение структуры границ от однородной моновалентной непроводящей типа Cu 2+ до нитевидной сверхпроводящей при относительно небольшом изменении положительных значений U.