A study is made of the shift in surface potential qZ,, known as the storage effect, observed during studies of the a.c. field effect on etched germanium exposed to the atmosphere. The effect is thought to be due to internal electron fieldemission from trap-states in the surface oxide layer into the conduction band of germanium. The kinetics of the electron transition process into the oxide suggests the equivalency of the oxide trapstates and the so called "slow states". A qualitative model of these states is discussed.Bei Wechselspannungs-Feldeffektsmessungen an einer geatzten Germaniumoberfiache wird an der Luft eine VergroRerung des Oberflachenpotentials qso gefunden. Es wird gezeigt, daB diese als Speichereffekt bezeichnete Erscheinung durch eine innere Peldemission von Elektronen &us in der Oxydschicht gelegenen Haftstellen ins Leitungsband des Germanium8 erklart werden kann. Eine genaue Analyse der Kinetik des Elektroneniibertritts ins Germaniumoxyd fiihrt zu dem SchluB, daR die Haftstellen im Oxyd identisch sind mit den sogenannten Jangsamen Termen". Ein Modell fur dies-: Terme wird diskutiert.