Влияние Прекурсора На Диэлектрические Свойства Алмазоподобных Кремний-Углеродных Пленок

Баринов, А. Д.; Гуринович, Т. Д.; Попов, А. И.; Чуканова, Т. С.; Шапетина, М. А.; Шупегин, М. Л.

doi:10.31857/s0002337x20080023

Cited by 2 publications

(2 citation statements)

References 0 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…При этом величина указанных изменений зависит от концентрации металла в образце. В работе [7] было показано, что диэлектрическая проницаемость кремний-углеродных пленок на основе ПФМС без металла при высоких частотах (10 5 −10 6 Hz) не зависит от частоты, а при уменьшении частоты менее 10 5 Hz она начинает возрастать. В отличие от этого в образцах, содержащих металл, изменения диэлектрической проницаемости наблюдается и в высокочастотном диапазоне.…”

Section: исследования электрофизических свойствunclassified

“…Вместе с тем, исследований диэлектрических свойств указанных материалов значительно меньше. В [7] проведено исследование влияния типа кремнийорганического прекурсора, из которого плазмохимическим разложением изготовлялись пленки, на их диэлектрические свойства. Влияние же на эту группу свойств введения в материал примесей практически не исследовалось.…”

Section: Introductionunclassified

See 1 more Smart Citation

Влияние Переходных Металлов На Диэлектрические Свойства Алмазоподобных Кремний-Углеродных Пленок

Popov¹,

Баринов²,

Emets³

et al. 2021

Физика Твердого Тела

View full text Add to dashboard Cite

Investigation of transition metals effect on the phase composition, electrical and dielectric properties of diamond-like silicon-carbon films prepared by the plasma-chemical decomposition of polyphenylmethylsiloxane have been carried out. Frequency, temperature and concentration dependences of these properties are obtained. It is shown that an increase in the metal concentration in the film leads to a continuous increase in the electrical conductivity, while the concentration dependences of the dielectric constant and the dielectric loss tangent have a minimum at metal concentrations of 0.5–2 at.%. Possible reasons for this phenomenon are analyzed.

show abstract

Section: исследования электрофизических свойствunclassified

Section: Introductionunclassified

Влияние Переходных Металлов На Диэлектрические Свойства Алмазоподобных Кремний-Углеродных Пленок

Popov¹,

Баринов²,

Emets³

et al. 2021

Физика Твердого Тела

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

Field Frequency Variation during Plasma-Chemical Deposition of Silicon-Carbon Films as a Method for Their Structural Modification

Popov,

Barinov,

Yemets

et al. 2023

Poverhnostʹ. Rentgenovskie, sinhrotronnye i nejtronnye issledov

View full text Add to dashboard Cite

The influence of the electric field frequency in the range from 0.1 to 2.0 MHz during plasma-chemical deposition of diamond-like silicon-carbon films on their chemical composition, structure, and electrical properties has been studied. It is shown that the films obtained in the entire studied frequency range have an amorphous structure with a constant, within the measurement precision, chemical composition. At the same time, the morphology of the surface of the films and their electrophysical properties significantly depend on the frequency of the electric field during plasma-chemical deposition. This makes it possible to use the change in the field frequency in the preparation of films as a method of controlling their properties. The frequency range providing the most effective modification of electrophysical properties is determined.

show abstract

Влияние Прекурсора На Диэлектрические Свойства Алмазоподобных Кремний-Углеродных Пленок

Cited by 2 publications

References 0 publications

Влияние Переходных Металлов На Диэлектрические Свойства Алмазоподобных Кремний-Углеродных Пленок

Влияние Переходных Металлов На Диэлектрические Свойства Алмазоподобных Кремний-Углеродных Пленок

Field Frequency Variation during Plasma-Chemical Deposition of Silicon-Carbon Films as a Method for Their Structural Modification

Contact Info

Product

Resources

About