Влияние параметров нитридизации и начальных ростовых условий на полярность эпитаксиальных слоев GaN, выращенных молекулярно-пучковой эпитаксией с плазменной активацией азота на подложках Si(111)

Abstract

Исследована зависимость кристаллографической полярности эпитаксиальных слоев GaN, полученных молекулярно-пучковой эпитаксией с плазменной активацией азота на подложках Si(111), от параметров нитридизации и начальных условий роста. Разработана экспресс-методика определения полярности эпитаксиальных слоев GaN. Экспериментально установлено, что параметры нитридизации кремниевой подложки не влияют на полярность слоя GaN. Показано, что температура нагрева подложки на этапе зарождения эпитаксиального слоя GaN является одним из факторов, определяющих его полярность. DOI: 10.21883/PJTF.2017.21.45161.16799