Влияние радиационных дефектов, созданных низкоэнергетическими протонами в сильнолегированном слое, на характеристики кремниевых n – p–p структур

Импульсные Характеристики Кремниевых Фотоэлектрических Преобразователей, Облученных Низкоэнергетическими Протонами

“…Низкоэнергетические протоны создают радиационные дефекты с максимумом распределения в области пика Брэгга, расположение которого в объеме облучаемого образца определяется энергией падающих протонов. В работах [6,7] исследовано влияние протонов с энергией E p = 40 и 180 keV при температуре облучаемых образцов T p = 83 и 300 K на параметры вольт-амперных характеристик кремниевых фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) n + −p−p + -типа. Показано, что протоны с начальной энергией 40 keV преимущественно изменяют физические свойства n + -слоя, а протоны с начальной энергией 180 keV -свойства области пространственного заряда (ОПЗ) в p-слое.…”

“…Протоны с E p = 40 keV создают первичные радиационные дефекты в n + -слое на расстоянии 0.41 µm от поверхности, их количество в образцах № 2, 3 различается в несколько раз [6], однако значения τ для этих образцов и образца № 4 близки и, следовательно, не отражают изменения, произошедшие в n + -слое. Длительность прямоугольного импульса много меньше τ n , поэтому значения τ не характеризуют рекомбинационные процессы в базе.…”