Влияние режима отжига на свойства терагерцевой фотопроводящей антенны на основе LT-GaAs

Abstract

Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены пленки LT-GaAs (low temperature gallium arsenide -арсенид галлия, выращенный методом моле-кулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре роста) на подложках GaAs(100) при температуре 230• C и проведен постростовый отжиг. На поверх-ности пленок изготовлены фотопроводящие антенны с флажковой геометрией. Получены мощностные зависимости терагерцевого отклика при различных значениях напряжения смещения и температуры постростового отжига. Ме-тодом терагерцевой спектроскопии исследованы спектральные характеристики изготовленных фотопроводящих антенн. Определен диапазон оптимальной температуры постростового отжига (670−720• C) пленок LT-GaAs.