Влияние Режимов Электрохимического Травления На Морфологию, Структурные И Оптические Свойства Пористого Арсенида Галлия

Abstract

Методами рентгеновской дифракции, электронной микроскопии, инфракрасной и ультрафиолетовой спектроскопии в работе изучены свойства образцов пористого GaAs, полученного методом электрохимического травления монокристаллических пластин n-GaAs(100). Удалось показать, что подбором состава электролита и условий травления могут быть получены образцы не только с различной степенью пористости и размером пор (нано/микро), но и иным типом поверхности образца. Травление n-GaAs(100) в выбранных условиях не приводит к изменению ориентации пористого слоя относительно ориентации монокристаллической подложки GaAs(100), ведет к уменьшению полуширины дифракционного максимума по сравнению с исходной пластиной, приводит к расщеплению фононной моды в инфракрасных спектрах и частотному сдвигу компонент с учетом параметров анодного травления, а также меняет оптические свойства в ультрафиолетовом диапазоне.

Структурные и магнитные свойства систем Al-=SUB=-2-=/SUB=-O-=SUB=-3-=/SUB=-/Ge-p/Al-=SUB=-2-=/SUB=-O-=SUB=-3-=/SUB=-/Co

“…), также является перспективным направлением. Использование окисла алюминия является перспективным в качестве диэлектрического затвора для использования в полевых транзисторах [5,6], в качестве просветляющего слоя для оптических зеркал полупроводниковых лазеров [7] и др. [8,9].…”