Влияние Углерода На Электрические Свойства Объемных Композитов На Основе Окиси Меди

Abstract

The effect of carbon filler on the electrical resistance and the thermopower of copper oxide-based composites produced by ceramic technology by hot pressing has been studied. It is found that the dependences of the electrical resistivity on the filler concentration are characteristic by S-like curves that are typical of percolation systems; in this case, the resistivity decreases more substantially as the carbon content increases as compared to the decrease in thermopower value, which is accompanied by the existence of the maximum of the factor of thermoelectric power near the percolation threshold. The studies of the temperature dependences of the resistivity and the thermopower at low temperatures show that, in the range 240–300 K, the predominant mechanism of the electrotransfer of all the composites under study is the hopping mechanism. At temperatures lower than 240 K, the composites with a nanocrystalline CuO matrix have a hopping conductivity with a variable hopping distance over localized states of the matrix near the Fermi level, which is related to the conductivity over intergrain CuO boundaries. A schematic model of the band structure of nanocrystalline CuO with carbon filler is proposed on the base of the analysis of the found experimental regularities of the electrotransfer.

Влияние термообработки на структуру и термоэлектрические свойства тонких пленок Sb-=SUB=-0.9-=/SUB=-Bi-=SUB=-1.1-=/SUB=-Te-=SUB=-2.9-=/SUB=-Se-=SUB=-0.1-=/SUB=- и композитов на их основе

“…Методики получения, анализа структуры тонких пле-нок твердого раствора Sb 0.9 Bi 1.1 Te 2.9 Se 0.1 и композитов Sb 0.9 Bi 1.1 Te 2.9 Se 0.1 −С, а также используемые способы измерения термоэлектрических свойств были подробно описаны в [5].…”

“…Ключевыми элементами такого рода преобразователей являются тонкие пленки термоэлектриков, параметры которых могут отличаться от соответствующих характеристик объемных материалов. Для повышения термоэлектри-ческой добротности полупроводниковых материалов их переводят в наноструктурированное состояние [3,4]. Од-нако малый размер частиц, определяющий термоэлек-трические свойства наноструктурированных материалов, может приводить к температурной и временной неста-бильности требуемых характеристик и, как следствие, к ограничению или даже невозможности их практического применения.…”

“…Главной причиной такой нестабильности служит большое значение избыточной поверхностной энергии, стимулирующее протекание рекристаллизаци-онных, гомогенизационных и сегрегационных процессов, приводящих к изменению наноструктуры вплоть до ее деградации. Известно, что рост нанозерен может быть заторможен за счет включений наночастиц второй фазы при получении нанокомпозитов [5], что может положи-тельно сказаться на эксплуатационных характеристиках наноматериала, в частности на стабильности его физи-ческих свойств.…”