Выращивание монокристаллов β-Ga-=SUB=-2-=/SUB=-O-=SUB=-3-=/SUB=- раствор-расплавным методом

Abstract

Исследованы режимы выращивания кристаллов Ga2O3 из раствора оксида галлия в расплаве MoO3 в процессе выпаривания MoO3 при температуре 1050oC. Показано, что при этой температуре кристаллическая фаза Ga2O3 находится в равновесии с расплавом MoO3. В результате экспериментов получены монокристаллы β-Ga2O3 размером до 1.5 mm в поперечном сечении. Состав и структура кристаллов изучены методами рентгеновской дифракции и электронной микроскопии. Ключевые слова: оксид галлия, рост кристаллов, широкозонный полупроводник.