Высокотемпературная кубическая модификация сульфида галлия (хs = 59 мол %) и Т, х-диаграмма системы Ga – S

Abstract

Уточнена фазовая диаграмма системы Ga – S в области составов от 30.0 до 60.7 mol % серы и в области температур от комнатной до 1220 °С. Выделена и структурно охарактеризована фаза s-Ga2S3, имеющая сфалеритоподобную структуру (пр. гр. , параметр решетки 5.21 Å) с дефицитом атомов в подрешетке галлия, существование которой подтверждено также термическими методами анализа. Определены температурные зависимости параметров решеток моноклинной фазы a-Ga2S3 (Cc) и гексагональной слоистой фазы b-GaS (P63/mmc), причем показано, что параметр c последней существенно зависит от температуры вследствие увеличения ван-дер-ваальсовой щели.
 
 ИСТОЧНИК ФИНАНСИРОВАНИЯ
 Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ, проект 18-33-00900-мол-а.