Высокоэффективные AlGaAs/GaAs фотоэлектрические преобразователи с торцевым вводом лазерного излучения

Abstract

Разработаны и созданы методом жидкофазной эпитаксии высокоэффективные фотоэлектрические преобразователи (ФЭП) в системе AlGaAs−GaAs с вводом лазерного излучения (λ = 850 nm) с торцевой поверхности параллельно плоскости p−n-перехода приборной структуры. Для увеличения эффективности " захвата" света p−n-переходом сформирован волноводный слой Alx Ga 1−x As с плавным изменением содержания алюминия от x = 0.55 до 0.15, обеспечивающий создание градиента показателя преломления в этом слое и отклонение лучей света к p−n-переходу. При засветке ФЭП (без антиотражающего покрытия) лазерным излучением мощностью 0.1−0.2 W получен КПД 41.5%. Просветление торцевой поверхности ФЭП обеспечивает повышение КПД разработанного ФЭП до 55%.

Влияние режимов формирования контактной системы Pd/Ge/Au к n-GaAs на ее электрические характеристики

“…Развитие технологии полупроводниковых приборов, в том числе фотоэлектрических преобразователей излучения высокой плотности, ведет к увеличению эффективности и мощности их работы, что обусловливает повышенные требования, предъявляемые к технологии формирования гетероструктур, омических контактов, защитных и просветляющих покрытий [1][2][3][4]. Разработка систем омических контактов обеспечивает снижение резистивных потерь путем уменьшения удельного переходного контактного сопротивления и увеличение электрической проводимости контактных систем, что в свою очередь приводит к уменьшению последовательного сопротивления полупроводниковых приборов [5,6].…”