2017
DOI: 10.21883/pjtf.2017.14.44827.16777
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Выход Электронно-Стимулированной Десорбции И Глубина Проникновения Возбуждающих Электронов

Abstract: Исследованы концентрационные зависимости электронно-стимулированной десорбции (ЭСД) атомов Cs и Na при адсорбции на неметаллических покрытиях, выращенных на W-подложке. Обнаружено, что процессы ЭСД происходят в интерфейсе адсорбированный слой-неметаллическая подложка. Показано, что спад в концентрационной зависимости выхода ЭСД, наблюдающийся после достижения монослойного покрытия, связан с уменьшением количества возбуждающих ЭСД электронов, достигающих интерфейса. DOI: 10.21883/PJTF.2017.14.44827.16777

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
3
2

Citation Types

0
0
0
11

Year Published

2019
2019
2023
2023

Publication Types

Select...
4

Relationship

3
1

Authors

Journals

citations
Cited by 4 publications
(11 citation statements)
references
References 7 publications
0
0
0
11
Order By: Relevance
“…Сначала рассмотрим процессы, происходящие при адсорбции цезия на Gr/Ir(111) при T = 160 K. Объяснение процессов ЭСД атомов Cs c графена на иридии основано на наших работах [21,27,[29][30], а также на полученных в экспериментальных работах и теоретических расчетах данных о графене на иридии [31][32][33]. Отметим, что графен является бесщелевым полупроводником.…”
Section: обсуждение результатовunclassified
“…Сначала рассмотрим процессы, происходящие при адсорбции цезия на Gr/Ir(111) при T = 160 K. Объяснение процессов ЭСД атомов Cs c графена на иридии основано на наших работах [21,27,[29][30], а также на полученных в экспериментальных работах и теоретических расчетах данных о графене на иридии [31][32][33]. Отметим, что графен является бесщелевым полупроводником.…”
Section: обсуждение результатовunclassified
“…Процесс ЭСД атомов K и Na c окисленного вольфрама можно объяснить в рамках моделей, предложенных в [13,14], с учетом известных данных о WO 3 [17][18][19][20][21][22][23]. Для поликристаллической пленки WO 3 ширина запрещенной зоны составляет ∼ 3.1 eV [17], работа выхода WO 3 ∼ 4.5 eV [18], а ширина валентной зоны WO 3 ∼ 8.0 eV [19].…”
Section: результаты и их обсуждениеunclassified
“…Недавно эта модель была модернизирована, и теперь она учитывает наличие локального состояния E loc вблизи дна зоны проводимости E c для объяснения процесса ЭСД [13]. Анализ экспериментальных результатов предыдущих исследований показал, что процессы ЭСД происходят в интерфейсе металл-полупроводниковая пленка, а на процесс ЭСД влияет глубина проникновения возбуждающих процесс ЭСД-электронов [14].…”
Section: Introductionunclassified
“…Исследованиям адсорбции атомов K на Au посвящено множество работ, причем особенно хорошо исследована адсорбция в домонослойном режиме, например, в [13][14][15][16]. Однако, как известно [17][18][19][20], при напылении покрытия щелочного металла больше, чем в один монослой, или при высокотемпературной адсорбции, происходит формирование полупроводниковых интерметаллических соединений.…”
Section: Introductionunclassified
“…Ранее было показано, что интерметаллиды Na и Cs с золотом являются широкозонными полупроводниками, например, [1,2,[17][18][19]. Однако работ по исследованию интерметаллических полупроводниковых соединений калия с золотом нам известно немного [21,22].…”
Section: Introductionunclassified