Генерация Поверхностных Электронных Состояний На Границе Раздела Кремний-Сверхтонкий Окисел В Процессе Полевого Повреждения Структур Металл-Окисел-Полупроводник

Гольдман, Е.И.; Левашов, С.А.; Нарышкина, В.Г.; Чучева, Г.В.

doi:10.21883/ftp.2017.09.44881.8512

Cited by 2 publications

(1 citation statement)

References 9 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Вольт-фарадные характеристики (ВФХ) гетерострук-тур на основе BST измерялись при комнатной тем-пературе на компьютеризированной установке с ис-пользованием прецизионного измерителя LCR Agilent E4980A [8]. Частота измерительного сигнала 100 kHz с амплитудой 25 mV.…”

Section: методы получения и исследованияunclassified

Влияние материала подложки на структуру и электрофизические свойства тонких пленок Ba-=SUB=-x-=/SUB=-Sr-=SUB=-1-x-=/SUB=-TiO-=SUB=-3-=/SUB=-

Афанасьев¹,

Киселев²,

Levashov³

et al. 2018

Физика Твердого Тела

Self Cite

View full text Add to dashboard Cite

Методом высокочастотного распыления получены тонкие пленки Bax Sr 1−x TiO 3 на (111)Pt/(100)Si и SiOx /(100)Si подложках. Установлено, что синтезированные пленки однофазны, обладают поликристал-лической структурой. Показано, что подслой платины оказывает влияние на значения шероховатости, средний размер зерен и величину локальной поляризации в тонких пленках Bax Sr 1−x TiO 3 . Обсуждаются возможные механизмы полученных результатов, связанных с проводимостью межзеренных границ и природой взаимодействия сегнетоэлектрической пленки с подложкой.Работа выполнена при частичной финансовой поддержке РФФИ (гранты № 16-07-00665 и 16-07-00666) и Программы фундаментальных исследований Президиума РАН " Наноструктуры: физика, химия, биология, основы технологий".

show abstract

Section: методы получения и исследованияunclassified

Влияние материала подложки на структуру и электрофизические свойства тонких пленок Ba-=SUB=-x-=/SUB=-Sr-=SUB=-1-x-=/SUB=-TiO-=SUB=-3-=/SUB=-

Афанасьев¹,

Киселев²,

Levashov³

et al. 2018

Физика Твердого Тела

Self Cite

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

The Franz-Keldysh effect in silicon–ultrathin (3.7 nm) oxide–polysilicon structures

Belorusov,

Goldman,

Chucheva

2023

Radiotehnika i èlektronika

View full text Add to dashboard Cite

The manifestation of the Franz–Keldysh effect was discovered when illuminated by indirect daylight Al–n+-Si:P–SiO2–(100) n-Si structures with ultrathin (3.7 nm) oxide. It has been shown that the use of backlight even at low field voltages (up to 3 V) leads to an increase in the tunneling current through the oxide compared to the current in darkness by three orders of magnitude. A model of the influence of radiation on the process of electron tunneling through an ultrathin insulating layer has been constructed. At first as a result of the Franz–Keldysh effect, a radiation quantum is captured by an electron and this charge carrier tunnels through the barrier at a higher level compared to darkness. After a charge carrier enters a semiconductor, its energy is sufficient for several events of electron–hole pair production during impact ionization of silicon.

show abstract

Cited by 2 publications

References 9 publications

Влияние материала подложки на структуру и электрофизические свойства тонких пленок Ba-=SUB=-x-=/SUB=-Sr-=SUB=-1-x-=/SUB=-TiO-=SUB=-3-=/SUB=-

Влияние материала подложки на структуру и электрофизические свойства тонких пленок Ba-=SUB=-x-=/SUB=-Sr-=SUB=-1-x-=/SUB=-TiO-=SUB=-3-=/SUB=-

The Franz-Keldysh effect in silicon–ultrathin (3.7 nm) oxide–polysilicon structures

Contact Info

Product

Resources

About