Генерация терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках InGaAs на подложках InP с ориентациями (100) и (411) A

Abstract

Методом терагерцевой спектроскопии временного разрешения исследованы спектр и волновые формы импульсов широкополосного терагерцевого излучения, генерируемых низкотемпературными эпитаксиальными пленками In0.53Ga0.47As при накачке фемтосекундными лазерными импульсами. Пленки In0.53Ga0.47As были получены методом молекулярно-лучевой эпитаксии при температуре 200oC и при различных давлениях мышьяка на подложках InP с ориентацией (100) и впервые на подложках InP с ориентацией (411)A. Исследованы морфология поверхности образцов с помощью атомно-силовой микроскопии и их структурное совершенство с помощью высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии. Обнаружено, что амплитуда терагерцевого излучения от слоев LT-InGaAs на подложках InP (411)A в 3-5 раз больше, чем от таких же слоев на подложках InP (100). DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44201.8312

Терагерцовое излучение фотопроводящих антенн на основе сверхрешеточных структур \LT-GaAs/GaAs:Si\

“…Данные структуры выращивались на подложках GaAs с ориентацией поверхности (111)А, которая при подборе условий эпитаксиального роста слоев GaAs : Si обеспечивала акцепторное легирование. Использование подложек с ориентацией (111)А в ряде случаев приводило к увеличению амплитуды ТГц импульсов от пленок или антенн на основе низкотемпературных материалов [16,17]. В данной работе исследуются характеристики ФПА на основе структур {LT-GaAs/GaAs : Si}, полученных при различных эпитаксиальных условиях, а также демонстрируется возможность практического применения полученных антенн для задач терагерцовой спектроскопии водных белковых растворов на примере бычьего сывороточного альбумина.…”