Гетероструктуры AlInPSbAs/InAs для термофотоэлектрических преобразователей

Abstract

Методом зонной перекристаллизации градиентом температуры получены изопараметрические гетероструктуры AlInPSbAs/InAs для термофотопреобразователей, работающих в интервале длин волн 500−3200 nm. Использование пятикомпонентных твердых растворов AlInPSbAs в качестве активной области термофотопреобразователей позволяет повысить величину внешнего квантового выхода до 0.9 в спектральном диапазоне 520−2800 nm.