Деградация кремниевых тонкопленочных микроморфных (alpha-Si/mu c-Si) солнечных модулей: оценка сезонной эффективности на основе данных мониторинга

Abstract

Разработан метод оценки эффективности работы alpha-Si/mu c-Si солнечных модулей на основе анализа данных мониторинга значения тока и напряжения в точке максимальной мощности и данных измерения температуры поверхности модуля. Приведена методика оценки параметров работы alpha-Si/mu c-Si модулей в ходе эксплуатации после начальной деградации модуля, и произведено сравнение результатов оценки параметров со значениями, измеренными в лаборатории. Ошибка оценки параметров не превысила 3%, для максимальной мощности модуля в стандартных условиях ошибка оценки составила 0.36%. Данная методика может применяться для оценки эффективности модуля и краткосрочного прогнозирования (день, неделя) мощности генерируемой солнечной энергоустановкой в условиях эксплуатации с использованием стандартных средств мониторинга. DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44887.8018

Modeling of Radiative Recombination in Heterostructures on Quantum Wells

“…При этом физическое обоснование выбранной математической операции не приводится. В этой связи заметим, что необходимость математического описания результирующего физического процесса или описывающего его параметра, формируемого объединением двух и более независимых процессов или параметров, часто возникает в физике полупроводников [7,8]. Ее решение сводят к простым операциям: сложению, вычислению среднего геометрического значения и т. д. Выбор операции определяется физической моделью, описывающей рассматриваемое объединение парциальных процессов.…”

“…Такая незаконченность исследования влияния легирования отрицательно сказывается на развитии светоизлучающих элементов оптоэлектроники. По мнению авторов, сложившаяся ситуация имеет свои объективные причины и усугубляется тем, что в настоящее время прямых экспериментальных доказательств положительного влияния легирования на люминесцентные свойства полупроводников [3][4][5][6][7][8][9][10] недостаточно.…”