Дислокационная Фотолюминесценция В Кремнии, Имплантированном Ионами Фтора

Abstract

Установлено, что имплантация ионов фтора с энергией 85 keV и дозой 8.3· 1014 cm-2 в монокристаллический Si не приводит к формированию аморфного слоя. Последующий отжиг при температуре 1100oC в хлорсодержащей атмосфере сопровождается появлением D1- и D2-линий дислокационной люминесценции. Интенсивность обеих линий уменьшается с увеличением времени отжига от 0.25 до 3 h. С увеличением температуры измерения от 80 до 200 K интенсивности этих линий уменьшаются, а положения их максимумов сдвигаются в длинноволновую сторону.