Излучающие гетероструктуры с двухслойной квантовой ямой InGaAs/GaAsSb/GaAs и ферромагнитным слоем GaMnAs

Abstract

Исследованы излучательные и магнитные свойства гетероструктур нового типа с двухслойной квантовой ямой InGaAs/GaAsSb/GaAs и ферромагнитным слоем GaMnAs. Установлено наличие циркулярной поляризации электролюминесцентного излучения в диапазоне температур от 10 до 160 K. Магнитополевые зависимости степени циркулярной поляризации являются нелинейными с петлей гистерезиса при температурах от 10 до 50 K, при более высоких температурах они становятся линейными. Величина поляризации при насыщении намагниченности GaMnAs в поле 2000 Oe сохраняется на уровне ~ 0.2%. Работа выполнена в рамках реализации государственного задания (проект N 8.1751.2017/ПЧ Минобрнауки России) при финансовой поддержке РФФИ (гранты N 15-02-07824\_а, 16-07-01102\_а, 17-37-80008\_мол\_эв\_а), стипендии (конкурс СП-2015) и гранта Президента Российской Федерации (N МК-8221.2016.2). DOI: 10.21883/FTT.2017.11.45060.09k

Воздействие импульсов эксимерного лазера на светоизлучающие InGaAs/GaAs-структуры с (Ga, Mn)As-слоем

“…Ранее нами было показано, что для получения ферромагнитных полупроводниковых слоев (Ga, Mn)As может быть использовано импульсное лазерное нанесение (ИЛН) [5,6]. Этот метод был успешно применен для получения в едином ростовом цикле с МОС-гидридной эпитаксией (МОСГЭ) при атмосферном давлении светоизлучающих гететеронаноструктур InGaAs/GaAs (диоды Зенера и p−i−n-диоды), демонстрирующих циркулярнополяризованное излучение [7,8]. Также было показано, что применение импульсного лазерного отжига слоев (Ga, Mn)As, сформированных методом ИЛН, позволило существенным образом повысить температуру Кюри (от 30−40 до 80−100 K) [9].…”

Использование пленок из многослойного графена в качестве покрытий светоизлучающих GaAs-структур

“…Допускается интеграция светоизлучающей структуры на Si-подложке ввиду прозрачности кремния по отношению к излучению двуслойных ям указанного вида [1]. Интересное расширение функциональных возможностей структур с двуслойными квантовыми ямами возникает при введении слоя магнитного полупроводника GaMnAs, выполняющего роль инжектора спин-поляризованных носителей тока [2]: излучение оказывается частично циркулярнополяризованным, причем степень поляризации определяется знаком и величиной внешнего магнитного поля. Отметим особенность указанных гетероструктур: интенсивность люминесценции существенно зависит от изгиба зон в области двуслойной ямы, который меняется при введении в приповерхностную область дельталегированного слоя акцепторной примеси (в частности, Mn [3]).…”