Излучение, Возникающее При Захвате Свободного Электрона В Каналированное Состояние

Abstract

При влете заряженной частицы в монокристалл происходит перестройка плоской волновой функции свободного электрона в суперпозицию локализованных волновых функций дискретных состояний движения в режиме каналирования. Перестройка волновой функции электрона из свободного в каналированное состояние может произойти упруго, но может и сопровождаться квазихарактеристическим переходным электромагнитным излучением, возникающим на границе кристалла. Это переходное излучение дополняет хорошо известный тип излучения, возникающий в глубине кристалла при переходах каналированных частиц между дискретными состояниями квазисвязанного поперечного движения. Цель статьи – сравнение интенсивностей этих двух типов излучения.