Изменение структуры и люминесцентных свойств пленок ZnSe и ZnCdSe при облучении электронным пучком

Abstract

Исследовались слои ZnSe и ZnCdxSe (x ~ 0.32-0.35), выращенные на подложках GaAs (001) методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Изучалось влияние электронного пучка на изменения кристаллической структуры изучаемых образцов и люминесцентные свойства. Исследования проводились методами катодолюминесценции, просвечивающей электронной микроскопии и методом рентгеноспектрального микроанализа. Установлено, что в результате облучения образцов в просвечивающем электронном микроскопе происходит отжиг дефектов упаковки, сопровождаемый образованием преципитатов ZnO c гексагональной кристаллической структурой. Облучение образцов в катодолюминесцентной установке приводит к уменьшению интенсивности катодолюминесценции исследуемых слоев ZnSe и ZnCdxSe из-за радиационно-стимулированных процессов деградации. Ключевые слова: точечные дефекты, облучение электронным пучком, катодолюминесценция, структурные изменения.