Изучение Профиля Распределения Железа, Имплантированного В Кремний

Abstract

Проведена имплантация ионов железа с энергиями 90, 250 кэВ и дозой облучения 10 16 см −2 в моно-кристалл кремния с ориентацией (110). Методом резерфордовского обратного рассеяния в сочетании с каналированием изучены профили распределения внедренной примеси, а также профили распределения радиационных дефектов в кристаллической решетке. Экспериментальные результаты сравниваются с результатами моделирования в программе TRIM. Показано, что при энергии 4.6 кэВ/нуклон средние проективные пробеги совпадают, однако при энергии 1.6 кэВ/нуклон различие составляет 35%. Кроме того показано, что расчет некорректно учитывает дозовую зависимость при энергиях 1.6−4.6 кэВ/нуклон.