2019
DOI: 10.21883/pjtf.2019.11.47820.17755
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Исследование влияния структурных дефектов на спектры фотолюминесценции в n-3C-SiC

Abstract: Photoluminescence (PL) spectra have been studied in 3 C -SiC/4 H -SiC heterostructures and 3 C ‑SiC single crystals. It was shown that epitaxial 3 C -SiC layers grown on 4 H -SiC substrates have a markedly poorer crystal perfection than do 3 C -SiC single crystals. It was found that doping with aluminum gives rise to a characteristic PL both in epitaxial layers and in 3 C -SiC single crystals. At the same time, the electron irradiation of epitaxial layers does not give rise to defect-related PL, in contrast to… Show more

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
3

Citation Types

0
0
0
3

Year Published

2019
2019
2022
2022

Publication Types

Select...
2

Relationship

0
2

Authors

Journals

citations
Cited by 2 publications
(3 citation statements)
references
References 8 publications
0
0
0
3
Order By: Relevance
“…Эти исследования начались с обнаружения необычных релаксаций диэлектрической проницаемости в образцах SrTiO 3 (Mn) [11,12]. Изучение условий появления этих релаксаций привели сначала к предположению [13], а затем и прямому доказательству методом EXAFS-спектроскопии вхождения марганца в узел A [14][15][16][17][18]. Технологическими условиями для этого оказались отклонение от стехиометрии в сторону избытка титана и высокая температура отжига [13][14][15][16][17].…”
Section: Introductionunclassified
See 1 more Smart Citation
“…Эти исследования начались с обнаружения необычных релаксаций диэлектрической проницаемости в образцах SrTiO 3 (Mn) [11,12]. Изучение условий появления этих релаксаций привели сначала к предположению [13], а затем и прямому доказательству методом EXAFS-спектроскопии вхождения марганца в узел A [14][15][16][17][18]. Технологическими условиями для этого оказались отклонение от стехиометрии в сторону избытка титана и высокая температура отжига [13][14][15][16][17].…”
Section: Introductionunclassified
“…Изучение условий появления этих релаксаций привели сначала к предположению [13], а затем и прямому доказательству методом EXAFS-спектроскопии вхождения марганца в узел A [14][15][16][17][18]. Технологическими условиями для этого оказались отклонение от стехиометрии в сторону избытка титана и высокая температура отжига [13][14][15][16][17]. Термообработка в восстановительной атмосфере также способствовала вхождению марганца в узлы A [17,18].…”
Section: Introductionunclassified
“…Так, в случае примеси Mn в SrTiO 3 было показано, что на зарядовое состояние и соотношение числа атомов в разных узлах решетки можно влиять, изменяя температуру отжига и стехиометрию образцов (см. [2,3] и ссылки в этих работах). Наши исследования легированного никелем титаната стронция показали, что магнитное состояние Ni зависит от того, какие примесные комплексы он образует при легировании.…”
Section: Introductionunclassified