Исследование воздействия электронного и протонного облучения на приборные структуры на основе 4H-SiC

Abstract

Исследовано изменение вольт-амперных характеристик и величины нескомпенсированной донорной примеси (Nd-Na) в базе диодов Шоттки и JBS-диодов на основе 4H-SiC при их облучении электронами с энергией 0.9 MeV и протонами с энергией 15 MeV. Скорость удаления носителей при облучении электронами составила 0.07-0.15 cm-1, а при облучении протонами 50-70 cm-1. Показано, что исследованные приборы сохраняли выпрямляющие вольт-амперные характеристики вплоть до доз электронного облучения ~ 1017 cm-2. Показано, что радиационная стойкость исследованных приборов на основе SiC существенно превосходит радиационную стойкость кремниевых p-i-n-диодов с аналогичными напряжениями пробоя. DOI: 10.21883/PJTF.2017.22.45262.16921